光刻机是谁发明的 光刻机中国能造吗

来源:bianji2 时间:2021-11-25 09:36 阅读

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作为芯片制造中光刻环节的核心设备,高端光刻机可谓全球高精尖技术的典型代表,但因为美国钳制,中企有钱也买不到,中芯国际砸下77亿元巨资,从荷兰光刻机巨头ASML手上购买的DUV光刻机,远不如EUV光刻机先进,却仍被美国议员要求升级制裁。

中国芯片制造遭遇“卡脖子”困境,影响深远。

少有人知的是,帮助ASML击败日本成为光刻机霸主的,竟然是一个中国人,他就是台积电的一位工程师林本坚。

光刻机是谁发明的

不过,在林本坚正式“登场”之前,是美国、日本主导着光刻机的全部话语权。

上世纪六十年代初,美国仙童半导体发明了至今仍在使用的掩膜版曝光刻蚀技术,同时IBM选择仙童半导体的光刻工艺和产线来制造计算机,生产出具有划时代意义的大型电脑,进而推动美国、日本等厂商的光刻技术和集成电路产业发展。

1963年,日本电气公司NEC从美国仙童半导体获得相关技术授权,日本政府要求其将取得的技术和国内其它厂商分享。如此一来,日本三菱、京都电气、尼康等公司争先恐后进入半导体产业,拉开了日本半导体行业狂飙突进的序幕。

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到80年代,日本尼康公司已经和推出真正有现代意义的步进式光刻机GCA平起平坐,各自拿下三成市场占有率。这个时候,ASML才刚刚成立。

1986年,半导体市场遭遇大滑坡,美国光刻机企业深受冲击,要么破产,要么被收购。

为了防止日企掌控全球市场,出于国家安全和商业利益考虑,美国开始组建“复仇者联盟”,扶持其他光刻机企业,其中,荷兰ASML被视为“最优选项”。

有了美国的扶持,ASML快速崛起,但如何提升光刻机的工艺制程水平,是一项事关企业兴衰的长期考验。

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在很长一段时间里,要提升光刻机工艺制程,主要靠改进所使用的光源来降低光的波长,比如00年代开始使用193nm波长的DUV激光,但怎么超越193nm,各大巨头提出多种方案,也聚焦了不少“火力”,却纷纷败下阵来。

光刻机霸主日本尼康一度打算选用未来技术,即0.004nm,然而,这个技术太超前,难度太大。

关键时刻,林本坚“登场”。他在IBM负责不断提高成像技术,干了22年,2000年正式加入已经入股ASML的台积电。

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和其他专家一心寻找新的光源替代193nm DUV激光不同,林本坚在IBM时就提出浸润式光刻技术,因当时干式光刻技术是主流,这个“疯狂的点子”不但没被采纳,他还受到了同事的排挤。

到了台积电,林本坚主攻浸润式研究,创造性地用水替代空气,以缩短波长。

最关键的是,这个方案成功被ASML采纳,一年时间内,便开发出样机。随后,台积电成为第一家实现浸润式产品量产的公司,一举成为芯片制造领域的“王者”。

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紧接着,日本尼康推出的157nm产品样机完成,却没有厂商愿意采用,导致一大批使用尼康产品的日本半导体厂商迅速溃败。

依托于关键技术的重大突破,ASML市场份额飙升,被媒体形容为“把尼康和佳能打得满地找牙”,此后又研发出EUV光刻机技术,地位进一步夯实。

如今,ASML笑傲全球,一家独大,几乎所有芯片制造公司都是它的客户。

2020年,ASML营收近1100亿元人民币,净利润达280亿元。其中,包括台湾在内的中国市场贡献593亿元,但EUV光刻机一台都没有卖给中国大陆。

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