关于光刻机是谁发明的这个问题，今天让我们具体的描述一下光刻机是谁发明的的详细解释。

作为芯片制造中光刻环节的核心设备，高端光刻机可谓全球高精尖技术的典型代表，但因为美国钳制，中企有钱也买不到，中芯国际砸下77亿元巨资，从荷兰光刻机巨头ASML手上购买的DUV光刻机，远不如EUV光刻机先进，却仍被美国议员要求升级制裁。

中国芯片制造遭遇“卡脖子”困境，影响深远。

少有人知的是，帮助ASML击败日本成为光刻机霸主的，竟然是一个中国人，他就是台积电的一位工程师林本坚。

不过，在林本坚正式“登场”之前，是美国、日本主导着光刻机的全部话语权。

上世纪六十年代初，美国仙童半导体发明了至今仍在使用的掩膜版曝光刻蚀技术，同时IBM选择仙童半导体的光刻工艺和产线来制造计算机，生产出具有划时代意义的大型电脑，进而推动美国、日本等厂商的光刻技术和集成电路产业发展。

1963年，日本电气公司NEC从美国仙童半导体获得相关技术授权，日本政府要求其将取得的技术和国内其它厂商分享。如此一来，日本三菱、京都电气、尼康等公司争先恐后进入半导体产业，拉开了日本半导体行业狂飙突进的序幕。

到80年代，日本尼康公司已经和推出真正有现代意义的步进式光刻机GCA平起平坐，各自拿下三成市场占有率。这个时候，ASML才刚刚成立。

1986年，半导体市场遭遇大滑坡，美国光刻机企业深受冲击，要么破产，要么被收购。

为了防止日企掌控全球市场，出于国家安全和商业利益考虑，美国开始组建“复仇者联盟”，扶持其他光刻机企业，其中，荷兰ASML被视为“最优选项”。

有了美国的扶持，ASML快速崛起，但如何提升光刻机的工艺制程水平，是一项事关企业兴衰的长期考验。

在很长一段时间里，要提升光刻机工艺制程，主要靠改进所使用的光源来降低光的波长，比如00年代开始使用193nm波长的DUV激光，但怎么超越193nm，各大巨头提出多种方案，也聚焦了不少“火力”，却纷纷败下阵来。

光刻机霸主日本尼康一度打算选用未来技术，即0.004nm，然而，这个技术太超前，难度太大。

关键时刻，林本坚“登场”。他在IBM负责不断提高成像技术，干了22年，2000年正式加入已经入股ASML的台积电。

和其他专家一心寻找新的光源替代193nm DUV激光不同，林本坚在IBM时就提出浸润式光刻技术，因当时干式光刻技术是主流，这个“疯狂的点子”不但没被采纳，他还受到了同事的排挤。

到了台积电，林本坚主攻浸润式研究，创造性地用水替代空气，以缩短波长。

最关键的是，这个方案成功被ASML采纳，一年时间内，便开发出样机。随后，台积电成为第一家实现浸润式产品量产的公司，一举成为芯片制造领域的“王者”。

紧接着，日本尼康推出的157nm产品样机完成，却没有厂商愿意采用，导致一大批使用尼康产品的日本半导体厂商迅速溃败。

依托于关键技术的重大突破，ASML市场份额飙升，被媒体形容为“把尼康和佳能打得满地找牙”，此后又研发出EUV光刻机技术，地位进一步夯实。

如今，ASML笑傲全球，一家独大，几乎所有芯片制造公司都是它的客户。

2020年，ASML营收近1100亿元人民币，净利润达280亿元。其中，包括台湾在内的中国市场贡献593亿元，但EUV光刻机一台都没有卖给中国大陆。

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